اس اس دی اینتل M.2 NVMe مدل 670p ظرفیت 512 گیگابایتSSD Intel 670p M.2 512GB NVMe
راهنمای فرم فاکتور و اندازه های SSD
0 (0)

0دیدگاه کاربران

در انبار موجود نمی باشد

اس اس دی اینتل M.2 NVMe مدل 670p ظرفیت 512 گیگابایتSSD Intel 670p M.2 512GB NVMe

0 (0)

0دیدگاه کاربران

موجود

گارانتی *

  • کاستوم رایان
  • 12 ماه شرکتی
  • کاستوم رایان
  • کاستوم رایان

1,095,000تومان


نقد و بررسی اجمالی

فناوری Intel QLC و رهبری صنعت، عملکرد و ظرفیت مورد نیاز برای نیازهای ذخیره سازی رایانه شخصی امروزی، از جمله ذخیره سازی عملکرد و توانایی مدیریت حجم بالای داده را به ارمغان می آورد.

نقد و بررسی

اس اس دی اینتل M.2 NVMe مدل 670p ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینتل M.2 NVMe مدل 670p ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینتل با فناوری Intel QLC و رهبری صنعت، عملکرد و ظرفیت مورد نیاز برای نیازهای ذخیره سازی رایانه شخصی امروزی، از جمله ذخیره سازی عملکرد و توانایی مدیریت حجم بالای داده را به ارمغان می آورد. در حال حاضر یک SSD Client SSD 144 لایه ای مبتنی بر QLC Intel SSD 670p موجود است.

با ظرفیت حداکثر 2 ترابایت در یک درایو، SSD 670p اینتل ارزش فوق العاده ای را برای محاسبات روزمره، بهره وری بهینه و بازی های رایج ارائه می دهد. فرم فاکتور نازک M.2 و 80 میلی متری از فناوری QLC نوآورانه اینتل پشتیبانی می کند و برای نوت بوک و دسکتاپ مناسب است.

فناوری جدید

اس اس دی اینتل M.2 NVMe مدل 670p ظرفیت 512 گیگابایت اینتل شامل جدیدترین فناوری QLC با بهبودهای عملکردی متعدد، از جمله تقریباً 2 برابر خواندن متوالی و بهبود 20 درصدی استقامت در مقایسه با نسل قبلی Intel QLC 3D NAND SSD.1 Now، یک SSD بهینه NVMe (یا PCIe) است. اس اس دی اینتل


فناوری Intel QLC 3D NAND: ذخیره سازی با نوآوری اینتل

فناوری Intel QLC، ظرفیت های بالا، کیفیت و قابلیت اطمینان را ارائه می دهد. معماری دروازه شناور نوآورانه دارای لایه‌های محکم و متقارن است و هیچ سلولی در بالای آن وجود ندارد. علاوه بر این، این معماری پویا پیکربندی سلول را برای برآورده کردن نیازهای مشتری برای ظرفیت ذخیره سازی و عملکرد تغییر می دهد. نتیجه ذخیره سازی با ظرفیت بالا با قیمت مقرون به صرفه برای تسریع پذیرش SSD است.

نمایش کامل نقد و بررسی

مشخصات فیزیکی

فرم فاکتور

M.2 2280

مشخصات فنی

نوع رابط

PCI-Express 3.0 x4

ظرفیت

512 گیگابایت

نوع فلش

3D NAND

سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی

تا 3000 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی

تا 1600 مگابایت بر ثانیه

مجموع بایت‌های نوشته شده(TBW)

185TBW

سایر مشخصات

مقاومت در برابر شوک

دارد

میزان مقاومت شوک

1000G/0.5ms

میانگین عمر - MTBF

1.600.000 ساعت

دمای عملیاتی

0 تا 70 درجه سانتیگراد

دیدگاه خود را در باره این کالا بیان کنیدافزودن دیدگاه

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

    هیچ پرسش و پاسخی ثبت نشده است.

پرسش خود را درباره این کالا بیان کنید

ثبت پرسش
انصراف ثبت پرسش