اس اس دی اینترنال سامسونگ M2 2280 NVMe مدل 980 ظرفیت ۱ ترابایتSAMSUNG 980 1TB M.2 2280 NVMe Gen3 Internal SSD
خرید و قیمت اس اس دی سامسونگ SSD M2 SAMSUNG 980 1TB
خرید و قیمت اس اس دی سامسونگ SSD M2 SAMSUNG 980 1TB
خرید و قیمت اس اس دی سامسونگ SSD M2 SAMSUNG 980 1TB
خرید و قیمت اس اس دی سامسونگ SSD M2 SAMSUNG 980 1TB
0 (0)

0دیدگاه کاربران

در انبار موجود نمی باشد

اس اس دی اینترنال سامسونگ M2 2280 NVMe مدل 980 ظرفیت ۱ ترابایتSAMSUNG 980 1TB M.2 2280 NVMe Gen3 Internal SSD

ناموجود

متاسفانه این کالا در حال حاضر موجود نیست. میتوانید از محصولات مشابه این کالا دیدن نمایید.

0 (0)

0دیدگاه کاربران

3,202,000تومان

خلاصه مشخصات کالا
  • ظرفیت: 1000 گیگابایت
  • رابط PCIe Gen3x4
  • فرم فاکتور: M.2 2280
  • نوع فلش: V-NAND MLC
  • سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی: 3500 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی: 3000 مگابایت بر ثانیه
  • + موارد بیشتر- بستن

ناموجود


نقد و بررسی

اس اس دی اینترنال سامسونگ M2 2280 NVMe مدل 980 ظرفیت ۱ ترابایت

نقد و بررسی اس اس دی اینترنال سامسونگ 980 ظرفیت ۱ ترابایت

از جدیدترین حافظه اس اس دی های شرکت سامسونگ می توان به حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ 980 ظرفیت ۱ ترابایت اشاره کرد.

این محصول سری جدید حافظه اس اس دی 980 Samsung می باشد.

سرعت حافظه اس اس دی اینترنال 980 Samsung در مقایسه با حافظه اس اس دی اینترنال Samsung 980 افزایش پیدا کرده است.

سرعت خواندن اطلاعات در حافظه اس اس دی SAMSUNG SSD 980 NVMe M.2 1TB تا 3500 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن اطلاعات به 3000 مگابایت بر ثانیه می رسد.

این محصول یک حافظه اس اس دی M.2 2280 می باشد که برای استفاده در لپ تاپ و سیستم های گیمینگ مناسب می باشد.

بیشترین سرعت با حافظه اس اس دی سامسونگ 980

با NVMe™ تفاوت را احساس خواهید کرد.

این تنها جمله ایست که می توان در رابطه با حافظه اس اس دی سامسونگ به زبان آورد.

حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ 980 Samsung ، با استفاده از آخرین نسل از حافظه فلش V-NAND و جدیدترین Firmware بهینه شده و به لطف کنترلر Phoenix و همچنین قابلیت نرم افزاری هوشمند TurboWrite boost توانسته است 53 درصد سریع تر از حافظه اس اس دی Samsung 970 عمل کند.

سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در حافظه اس اس دی 980 به 3500 مگابایت در حالت خواندن و 3000 مگابایت در حالت نوشتن خواهد رسید.

با یک حساب سرانگشتی می توان گفت که این محصول حدود 18 برابر یک هارد داخلی سرعت دارد.

همچنین در مقایسه با یک اس اس دی ساتا ، حدود 7 برابر سریع تر عمل می کند.

نمایش کامل نقد و بررسی

مشخصات فیزیکی

ابعاد

2.38 × 22.15 × 80.15 میلی متر

پارت نامبر

MZ-V8V1T0BW (1TB)

فرم فاکتور

M.2 2280

مشخصات فنی

نوع فلش

V-NAND MLC

ظرفیت

1 ترابایت

نوع رابط

PCI-E Gen3x4

سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی

تا 3500 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی

تا 3000 مگابایت بر ثانیه

سایر مشخصات

مقاومت در برابر شوک

دارد

میزان مقاومت شوک

1500G/0.5ms

میانگین عمر - MTBF

1.500.000 ساعت

دمای عملیاتی

0 تا 70 درجه سانتیگراد

دمای ذخیره سازی

40- تا 85 درجه سانتیگراد

دیدگاه خود را در باره این کالا بیان کنیدافزودن دیدگاه

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

    هیچ پرسش و پاسخی ثبت نشده است.

پرسش خود را درباره این کالا بیان کنید

ثبت پرسش
انصراف ثبت پرسش