اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 980 ظرفیت 250 گیگابایتSAMSUNG SSD 980 NVMe M.2 250GB
0 (0)

0دیدگاه کاربران

در انبار موجود نمی باشد

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 980 ظرفیت 250 گیگابایتSAMSUNG SSD 980 NVMe M.2 250GB

0 (0)

0دیدگاه کاربران

موجود در انبار

گارانتی

  • کاستوم رایان
  • 2 سال بادیز/ساخت کره
  • کاستوم رایان
  • کاستوم رایان

1,510,000 تومان

نقد و بررسی اجمالی
  • فرم فاکتور: M.2 2280
  • رابط PCIe Gen3x4
  • نوع فلش:  V-NAND MLC
  • ظرفیت: 250 گیگابایت
  • سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی:  3500 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی: 3000 مگابایت بر ثانیه
  • مقاومت در برابر شوک: دارد
  • پشتیبانی از TRIM: دارد

نقد و بررسی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 980 ظرفیت 250 گیگابایت

نقد و بررسی اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 980 ظرفیت 250 گیگابایت

از جدیدترین حافظه اس اس دی های شرکت سامسونگ می توان به حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ 980 ظرفیت 250 گیگابایت اشاره کرد.

این محصول سری جدید حافظه اس اس دی 980 Samsung می باشد.

سرعت حافظه اس اس دی اینترنال 980 Samsung در مقایسه با حافظه اس اس دی اینترنال Samsung 980 افزایش پیدا کرده است.

سرعت خواندن اطلاعات در حافظه اس اس دی SAMSUNG SSD 980 NVMe M.2 250GB تا 3500 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن اطلاعات به 3000 مگابایت بر ثانیه می رسد.

این محصول یک حافظه اس اس دی M.2 2280 می باشد که برای استفاده در لپ تاپ و سیستم های گیمینگ مناسب می باشد.

بیشترین سرعت با حافظه اس اس دی سامسونگ 980

با NVMe™ تفاوت را احساس خواهید کرد.

این تنها جمله ایست که می توان در رابطه با حافظه اس اس دی سامسونگ به زبان آورد.

حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ 980 Samsung ، با استفاده از آخرین نسل از حافظه فلش V-NAND و جدیدترین Firmware بهینه شده و به لطف کنترلر Phoenix و همچنین قابلیت نرم افزاری هوشمند TurboWrite boost توانسته است 53 درصد سریع تر از حافظه اس اس دی Samsung 970  عمل کند.

سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در حافظه اس اس دی 980 Evo به 3500 مگابایت در حالت خواندن و 3000 مگابایت در حالت نوشتن خواهد رسید.

با یک حساب سرانگشتی می توان گفت که این محصول حدود 18 برابر یک هارد داخلی سرعت دارد.

همچنین در مقایسه با یک اس اس دی ساتا ، حدود 7 برابر سریع تر عمل می کند.

نمایش کامل نقد و بررسی
پارت نامبر

MZ-V8V1T0BW (1TB)

نوع فلش

V-NAND MLC

مقاومت در برابر شوک

دارد

میزان مقاومت شوک

1500G/0.5ms

مقاومت در برابر لرزش

دارد

میانگین عمر - MTBF

1.500.000 ساعت

دمای عملیاتی

0 تا 70 درجه سانتیگراد

دمای ذخیره سازی

40- تا 85 درجه سانتیگراد

مشخصات فیزیکی

ابعاد

80.15 x 22.15 x 2.38 میلی متر

فرم فاکتور

M.2 2280

مشخصات فنی

ظرفیت

250 گیگابایت

نوع رابط

PCI-E Gen3x4

سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی

3100 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی

2600 مگابایت بر ثانیه

دیدگاه خود را در باره این کالا بیان کنید افزودن دیدگاه

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

    هیچ پرسش و پاسخی ثبت نشده است.

پرسش خود را درباره این کالا بیان کنید

ثبت پرسش
انصراف ثبت پرسش